沙特基础工业公司（SABIC）凭借其创新解决方案斩获全球科创领域重磅奖项——2023年“R&D 100 ”研发大奖。此次获奖彰显了SABIC对于各领域技术创新的持续投入，助力全球客户开发优异的解决方案，获得业务成功。R&D 100大奖由美国《R&D World》杂志评选。今年，SABIC凭借其可达到CTI0的新型聚碳酸酯树脂在“机械/材料”类别的评选中脱颖而出。同时，SABIC可持续发展与科学技术创新执行副总裁鲍勃·莫恩博士也在“专业技术人员”类别被《R&D World》杂志评选为

  随着PD3.1协议的市场应用慢慢的变多，市场对PD3.1协议控制器也提出了更多的要求，如何更好地确保协议的稳定性的同时增加更多系统级功能，这对传统PD协议控制器提出了更大的挑战。广芯微电子宣布开源基于RISC-V内核的PD控制器，以支持客户更好地部署快充系统和差异化功能。芯片框图UM3506 SoC 芯片创新性地集成了基于 RISC-V ISA 的 32 位微处理器内核作为通用的集中式 TCPM 管理器。优化后的 RISC-V 内核配合片上 FLASH 闪存/SRAM 存储器、增强的外设和广泛的系统资源，在

  9月6日，软银旗下芯片设计公司Arm提交给美国证券交易委员会（SEC）的首次公开募股（IPO）文件显示，苹果已与Arm就芯片技术授权达成了一项“延续至2040年以后”的新合作协议。目前，Arm拒绝就其提交文件以外的内容发表评论，苹果也没有立即回复置评请求。Arm IPO吸引各路巨头Arm在科技行业扮演着不可或缺的角色，它将其芯片设计授权给包括苹果在内的500多家公司，已经占据了智能手机芯片领域95%以上的市场占有率，包括平板电脑等，实际上已经完全控制了整个移动芯片领域。从Apple Watch到iPhone

  Milk-V 推出 Meles SBC：配 2GHz 平头哥 TH1520 四核 RISC-V 处理器

  IT之家9 月 6 日消息，Milk-V 近日推出了名为 Meles 的单板计算机（SBC），其外观接近于树莓派 Model B。Meles 的大小和端口均和树莓派 Model B 类似，只是并没用基于 ARM 的处理器，而是使用基于 RISC-V 架构的 2GHz 平头哥曳影 T-Head TH1520 四核处理器。IT之家在此附上 Meles 单板计算机端口如下：1 个 HDMI 2.0 端口1 个千兆端口4 个 USB 3.0 主机端口1 个 USB 2.0 Type-C 端口1 个

  这是最好的一届RISC-V中国峰会，虽已落幕一周，但它流传的故事依旧激昂人心，它引发的话题仍未褪色，它带来的启发依旧可以让我们细细品味。后摩尔时代，芯片制造工艺遭遇瓶颈，在产业从技术到商业不断循环的“Tick-Tock”式迭代规律下，RISC-V开源指令集横空出世，开辟了芯片商业模式更迭的崭新篇章。如今，万物互联已成必然，计算场景复杂多变，RISC-V设计的初衷便是覆盖各种计算场景，这与时代需求完美契合。无论从商业还是技术角度，RISC-V进入高性能应用场景已成必然。在2

  Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET

  日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650 V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工业和计算应用能效和功率密度。Vishay Siliconix n沟道 SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低48.2%，同时导通电阻与栅极电荷乘积下降59%，该参数是650 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）。Vishay丰富的MOSFET技术全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各

  据赛昉科技官微消息，8月31日，中国电子工业标准化技术协会RISC-V工作委员会正式成立。RISC-V工委会是从事RISC-V 产业领域相关单位及组织等自愿组成的全国性、行业性、非营利性社会团体，是中国电子工业标准化技术协会（简称“中电标协”）所属分支机构。消息显示，RISC-V 工委会的宗旨为发挥在产业组织、行业自律方面的作用，为RISC-V 产业领域的标准研制、标准符合性评估、知识产权保护、人才教育培训、产业研究等方面支撑服务，引导国内RISC-V 产业从无序竞争走向协同创新，形成产业合力，实

  IT之家8 月 31 日消息，据赛昉科技消息，8 月 31 日，中国北京 ——中国电子工业标准化技术协会 RISC-V 工作委员会正式成立，赛昉科技当选副会长单位。中国电子工业标准化技术协会 RISC-V 工作委员会，简称：RISC-V 工委会，英文名称为 RISC-V Ecosystem & Industry of China Electronics Standardization Association，缩写：RVEI，是从事 RISC-V 产业领域相关单位及组织等自愿

  近日，三星电子宣布计划在明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，据爆料，这款闪存将采用双层堆栈架构，并超过 300 层。同样在 8 月，SK 海力士表示将加强完善 321 层 NAND 闪存，并计划于 2025 年上半期开始量产。早在 5 月份，据欧洲电子新闻网报道，西部数据和铠侠这两家公司的工程师正在寻求实现 8 平面 3D NAND 设备和超过 300 字线D NAND 终究还是卷到了 300 层……层数「争霸赛」众所周知，固态硬盘的数据传输速度虽然很快，但售价和容量还

  在嵌入式软件开发中，利用完整的应用跟踪，可为研发人员分析其产品行为提供无限的可能性。通过对应用程序的全方面了解，他们能够跟踪每一条指令，看看他们的应用程序是否按照预期运行，或者出没出现错误或漏洞。那么，怎么样才可以最大化地利用现有可用的RISC-V跟踪呢？什么是跟踪？与传统的通过设置断点、printf等进行调试相比，跟踪更像是在不打扰的情况下观察你的应用程序。基本上，研发人员可以在不干扰程序的情况下观察整个程序的工作情况。跟踪包括完整的指令执行流程（不需要printf也不需要UART），一旦跟踪数据被捕获，你可

  近一年来，国际半导体大厂「抱团取暖」的现象频频出现，而这在过去多年内是很少见的。由于全球领先的半导体企业大都聚集在美国，欧洲，日本，以及中国台湾地区，因此，这一波大厂抱团依然逃不出这几个地区，有 3 个最具代表性。按时间顺序，首先抱团形成的是 Rapidus，它是由日本政府领衔，联合丰田汽车、索尼、NEC、铠侠、软银等 8 家日本企业，于 2022 年 8 月合作成立的，被视为日本重返半导体先进制程市场的重要投资案。Rapidus 与 IBM 深度合作，获得了后者 2nm 制程技术授权，预计将投入 5 兆

  在高通首席执行官（CEO）克里斯蒂亚诺·阿蒙（Cristiano Amon）的领导下，高通将与恩智浦、北欧半导体公司（Nordic Semiconductor）、英飞凌以及博世联合成立一家新公司，旨在推广用于芯片设计的开源RISC-V架构，通过开发下一代硬件来推动RISC-VECO的扩展。据了解，新公司将设在德国，同时考虑到恩智浦和英飞凌将参与投资，该公司应该是先专注于汽车芯片领域，最终扩展到移动和物联网领域。恩智浦执行副总裁兼首席技术官Lars Reger表示，该合资公司将努力“开创完全认证的基于RI

  赛昉科技发布全球首款 RISC-V 大小核处理器子系统，性能比肩 ARM A76 / A75

  IT之家8 月 17 日消息，赛昉科技今日发布了两款自主研发的 RISC-V 处理器内核新产品：昉・天枢-90（Dubhe-90）与昉・天枢-80（Dubhe-80）。据介绍，Dubhe-90 主打“极致性能”，是 Dubhe Max Performance 系列旗舰产品；Dubhe-80 主打“高能效比”，是 Dubhe Efficiency Performance 系列首款产品。两款产品也就是大家常说的 CPU 大小核。与此同时，基于 Dubhe-90、Dubhe-80 以及赛昉科技片上一

  IT之家8 月 16 日消息，据韩国电子时报报道，为客服低迷的存储器市场状况，三星电子计划停止其位于韩国平泽市 P1 工厂的部分 NAND 闪存生产设备。业内人士透露，三星目前正在考虑停止 P1 工厂 NAND Flash 生产线部分设备的生产，该生产区主要负责生产 128 层堆叠的第 6 代 V-NAND，其中的设备将停产至少一个月。外媒表示，鉴于市场持续低迷，业界猜测三星的 NAND Flash 产量可能会减少 10% 左右，而三星在近来 4 月份发布的 2023 年第一季度财务报表中也正式

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