市场当中，那些少数还在致力于先进制程发展的企业们，都开始向先进封装技术方向进行拓展。而这也代表着封装技术，尤其是先进封装技术已被业界视为是继续推进摩尔定律继续发展的关键之一。

  我们看到，在封装技术的重要性日益凸显的今天，在英特尔宣布英特尔将迈入IDM 2.0后，先进封装的重要性也得到了重点强调。

  如果说，曾经英特尔的先进封装技术，只有英特尔的产品才能享受得到。那么在IDM 2.0的时代里，英特尔的先进封装技术很有可能被更多的产品采用。这要归功于，英特尔所提出的英特尔代工服务（IFS）。在此前的报道中，曾有媒体这样描述IFS的优势——IFS事业部与其他代工服务的差异化在于，它结合了领先的制程和封装技术，并支持x86内核、ARM

  对此，Johanna Swan也在接受半导体行业观察的采访时称：“能确定的是，英特尔代工厂客户将能够正常的使用我们已准备好部署的前沿封装技术，包括2D、2.5D或3D技术。”据Johanna Swan介绍，在进入到IDM 2.0时代后，英特尔将继续开发2D、2.5D 和 3D 等先进封装技术。英特尔也会将这些技术提供给代工客户，以满足他们独特的产品需求。

  在英特尔看来，在功率效率、互连密度和可扩展性等方面的提升，是指引着英特尔先进封装发展的明灯。以此为基础，英特尔也曾在其架构日上展示了其封装技术路线图。

  多管芯互联桥接）再到Foveros，凸点间距从100μm缩减到50-25μm。而无论是EMIB（嵌入式多管芯互联桥接）还是Foveros，这都是英特尔在先进封装领域的过往，对于未来，他们将怎么走下去？

  基于这种理解，英特尔也将在未来致力于开发小于10微米凸点间距的封装技术。

  在英特尔看来，混合结合（Hybrid Bonding）是实现小于10微米凸点间距的关键技术之一。Hybrid Bonding也是去年英特尔在其架构上首次提出的方案。在今年的 ECTC中，英特尔再次公布了关于Hybrid Bonding的一些细节。据英特尔介绍，采用Hybrid Bonding还可实现更小的外形尺寸。

  据介绍，凸点间距为50微米的Foveros，在每平方毫米中包含大约 400 个凸点。但对实现小于10微米的凸点间距的Hybrid Bonding，则可在每平方毫米容纳10,000 个凸点。Johanna Swan表示表示：“这样，我们便可以在两个

  之间实现更多的互连，这也代表着采用这样的形式可以提供更小、更简单的电路，因为它们实际上可以相互叠加。因此，也不必做扇入（fan-in）和扇出(fan-out)。有了这个更简单的电路，我们大家可以使用更低的

  与此同时，Johanna Swan也指出，由于Foveros和Hybrid Bonding在组装工艺上存在着差异，因此，在使用Hybrid Bonding时，需要一种新的制造、清洁和测试方法。

  le）集成在一起，同时实现芯片到芯片的互连。而这就从另一方面代表着，从焊接转向Hybrid Bonding，即要保持制造流程以相同的速度进行，还要将更多的IP或芯片放置在一起。

  Johanna Swan表示，混合结合（Hybrid Bonding）的技术进步同样可用于CO-EMIB和ODI架构，这些架构则是英特尔先进封装在可扩展性方面所推出的技术。

  由此，我们大家可以看出，Hybrid Bonding不仅仅可以在功率效率、互连密度的提升上提供帮助，还可以在可扩展性方面提供支持。也因此，作者觉得Hybrid Bonding将成为英特尔先进封装发展关键。

  “提供独特的解决方案，推动了我们关注的技术。”Johanna Swan表示：“产品需求的不断进化，才是真正推动封装需要转变的原因。”她认为，封装技术进步会随着用户的差异化需求而出现。

  除此之外，英特尔在还在诸多半导体行业权威会议上所发表的论文和演讲当中，也频繁地讲到了他们对于先进封装的最近研究以及进展。

• 上一篇: OFweek通讯网
• 下一篇: 一文了解英特尔CPU接口的发展史